Le tube titanique de la pulvérisation Gr1 de métallisation sous vide vise 133OD*125ID*840L

Titane titanique Gr1 ASTM B861-06 de cible de tube une pulvérisation de cible de métallisation sous vide 133OD*125ID*840L

La perspective de développement de technologie des matériaux du matériel de cible est étroitement liée avec la tendance de développement des technologies de la couche mince de l'industrie en aval d'application, avec l'application de l'amélioration technique d'industrie sur des produits de film ou des composants, la technologie de la cible devraient être changés également, pour remplacer considérablement l'affichage à panneau plat original (FPD) ces dernières années, qui se compose principalement de moniteurs d'ordinateur du tube cathodique (tube) et de marché de télévision. Il augmentera également considérablement la demande de technologie et de marché du matériel de cible d'ITO. En plus de la storage technology. La demande de la haute densité, des disques durs de grande capacité et des disques effaçables à haute densité continue à augmenter. Tous les ces résultat dans le changement de la demande de l'industrie d'application des matériaux de cible. Ci-dessous nous présenterons les champs d'application principale des matériaux de cible et la perspective de développement des matériaux de cible dans ces domaines respectivement.
Parmi toutes les industries d'application, l'industrie de semi-conducteur a les la plupart des conditions de qualité rigoureuses pour des films de pulvérisation de cible. Aujourd'hui, des puces de silicone de 12 pouces (epistaxis 300) ont été faites. Relie ensemble se rétrécissent dans la largeur. Les fabricants de gaufrette exigent la pureté de grande taille et grande, la basse ségrégation et le grain fin, qui exige une meilleure microstructure de la cible manufacturée. Le diamètre de particules et l'uniformité en cristal du matériel de cible ont été considérés comme facteurs clé affectant le taux de dépôt des couches minces. En outre, la pureté du film est considérablement liée à la pureté du matériel de cible. Dans le passé, la pureté 99,995% de la cible de l'en cuivre (4N5) peut pouvoir répondre aux exigences du processus de 12h35 des fabricants de semi-conducteur, mais elle ne peut pas répondre aux exigences du processus 0.25um, et le 0.18um et même processus de 0,13 m. La pureté du matériel de cible exigé sera au-dessus de 5 ou même de 6 N. Compared avec l'aluminium, cuivre a plus de haute résistance à la migration électrique et la résistivité inférieure, peut se réunir ! Le processus de conducteur est exigé pour le câblage submicronique au-dessous de 0.25um, mais apporte avec lui d'autres problèmes : basse force d'adhérence de cuivre aux matériaux diélectriques organiques. En outre, il est facile de réagir, qui mène à la corrosion et à la séparation de l'interconnexion de cuivre en cours d'utilisation. Pour résoudre ces problèmes, une couche-barrière doit être placée entre le cuivre et la couche diélectrique. Le matériel de barrière emploie généralement des métaux et des composés avec le point de fusion élevée et la résistivité élevée, ainsi l'épaisseur de couche-barrière est exigée pour être moins de 50 nanomètre, et l'interprétation d'adhérence avec les matériaux de cuivre et diélectriques est bonne. Les matériaux de barrière pour le cuivre relie ensemble et l'aluminium relie ensemble sont différent. De nouveaux matériaux de cible doivent être développés. Le matériel de cible pour la couche-barrière de cuivre d'interconnexion inclut merci, W, TaSi, WSi, etc. Mais les ventres et le W sont les métaux réfractaires. Il est relativement difficile de faire, et du molybdène, le chrome et tout autre or est étudié comme matériel alternatif.

Caractéristiques

1. Faibles densité et de haute résistance
2. adapté aux besoins du client selon les dessins requis par des clients
3. résistance à la corrosion forte
4. résistance thermique forte
5. résistance de basse température
6. résistance thermique